三星的10nm工艺技术在多个方面表现出其先进性和市场竞争力：

技术成熟度与良品率

三星在2017年初宣布正式开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作，进度业界领先。

2018年，三星宣布其10nm工艺的良率仅有70%左右，虽不及台积电的85%以上，但其在生产骁龙835和8895等芯片方面进度较快。

工艺特点

三星的10nm工艺包括10LPE（low-power early）和预计明年量产的10nm LPP（low power plus, advanced power processing），分别针对早期低功耗和更高性能的芯片。

10nm工艺相较于14nm，晶体管面积效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。

应用与产品

三星的10nm工艺成功应用于高通骁龙835和三星Exynos 8895等芯片。

此外，三星的10nm工艺也用于其Exynos 9610处理器，表现出在功耗控制和性能提升方面的优势。

市场表现

三星在10nm工艺的量产方面进度领先，但良率问题仍需进一步改善。

尽管存在一些挑战，三星依然在推进其10nm工艺的优化和升级，例如通过人力资源配置和技术创新来提升良率和扩大技术优势。

建议

持续优化：三星应继续优化其10nm工艺，提高良率，以满足更多客户的需求。

技术创新：三星应继续投入研发，探索新一代的工艺技术，如更先进的低功耗和高性能制程，以保持其在半导体市场的竞争力。

市场合作：三星可以继续与高通等合作伙伴保持紧密合作，共同推动10nm工艺在高端芯片市场的应用和发展。